聯華電子股份有限公司 相關專利權資料
總計 221 筆資料
資料來源為：經濟部智慧財產局開放資料 API。
| 公開公告日期 | 公開公告號 | 專利類別 | 專利名稱 |
|---|---|---|---|
| 2026-03-21 | I918969 | 發明 | 同時具備耗盡模式與增強模式氮化鎵元件特徵的半導體結構及其半導體製程 |
| 2026-03-21 | I918990 | 發明 | 高電子遷移率電晶體及其製作方法 |
| 2026-03-21 | I918992 | 發明 | 在化合物半導體器件上形成歐姆接觸的方法 |
| 2026-03-21 | I918993 | 發明 | 化合物半導體器件及其製作方法 |
| 2026-03-21 | I919055 | 發明 | 功率金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法 |
| 2026-03-21 | I919309 | 發明 | 半導體結構及其製造方法 |
| 2026-03-21 | I919572 | 發明 | 靜態隨機存取記憶體的布局圖案以及其製作方法 |
| 2026-03-21 | I919733 | 發明 | 光學超表面結構以及其製作方法 |
| 2026-03-21 | I920003 | 發明 | 半導體元件及其製作方法 |
| 2026-03-11 | I917684 | 發明 | 具有場板結構的氮化鎵元件及其製作方法 |